C-25X型4英寸/6英寸單面光刻機精密光刻設(shè)備主要用途：

 本機針對各大專院校、企業(yè)及科研單位。對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度的光刻機，三層減震，組合式，拆卸方便。

 它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)，適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如:砷化鉀、磷化銦的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

C-25X型4英寸/6英寸單面光刻機精密光刻設(shè)備主要性能指標：

1. 多種版夾盤

 C-25X200型4英寸光刻機有四種版夾盤,能真空吸附5" ×5"或4" ×4"或3" ×3"或2.5" ×2.5"方形掩板。對版的厚度無特殊要求（1～4mm皆可）。

C-25X200型6英寸光刻機有六種版夾盤,能真空吸附7" ×7"或6" ×6"或5" ×5"或4" ×4"或3" ×3"或2.5" ×2.5"方形掩板。對版的厚度無特殊要求（1～4mm皆可）。

2. 真空吸附基片的“承片臺"

 C-25X200型4英寸光刻機設(shè)有相對應(yīng)的真空吸附基片的“承片臺"三個，分別適用于φ2、φ3、φ4片。對于非標準片或碎片，只要堵塞相應(yīng)的小孔，同樣能真空吸附。

 C-25X200型6英寸光刻機設(shè)有相對應(yīng)的真空吸附基片的“承片臺"五個，分別適用于φ2、φ3、φ4、φ5、φ6片。對于非標準片或碎片，只要堵塞相應(yīng)的小孔，同樣能真空吸附。

3. 照明

 光源：采用GCQ350Z型超高壓水銀直流汞燈。

照明范圍：≤ф100mm

不均勻性：ф100mm內(nèi)±3%

可使用的波長：g線、h線、I線的組合。根據(jù)用戶要求，可增加I線濾光片。

成象面照明：光照度10～15毫瓦/厘米2,任意可調(diào)(出廠時,照明度調(diào)在10mw/cm2)。

曝光分辨率:1μm

對準精度： 1μm

 套刻精度： 1μm

4. 采用進口時間繼電器（該繼電器可從0.1秒∽999.9秒預設(shè)）控制氣動快門，動作準確可靠。

5. 該機為接觸式曝光機，但可實現(xiàn)：

硬接觸曝光：用管道真空來獲得高真空接觸。真空≤-0.05MPa。

軟接觸曝光：接觸壓力可將真空降到-0.02MPa ～ -0.05MPa之間。

微力接觸曝光：小于軟接觸。真空≥-0.02MPa。

6. 分辯率估計

如果用戶的“版"、“片"精度符合國家規(guī)定，環(huán)境、溫度、濕度、塵埃得到嚴格控制，采用進口正性光刻膠，且勻膠厚度得到嚴格控制。加之前后工藝先進的話，硬接觸曝光的最小分辨度可達1μm以上

7. 對準

觀察系統(tǒng)為兩個單筒顯微鏡上裝二個CCD攝像頭，通過視屏線連接到顯視屏上。

a.單筒顯微鏡為0.7X～4.5X連續(xù)變倍顯微鏡（也可為1.6X～10X）。

b.CCD攝像機靶面對角線尺寸為：1/3，（6mm）;

c.采用19"液晶監(jiān)視器，其數(shù)字放大倍率為19÷1/3=57倍；

d.觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為：0.7×57≈40倍（最小倍數(shù)），4.5×57≈256倍（最大倍數(shù)）或（91倍～570倍）。

對準臺：（采用片動，版不動方式）

X、Y調(diào)整：±5mm。

θ調(diào)整：轉(zhuǎn)角≤5°

對準間隙（分離間隙）0～5mm任意可調(diào)。

整個對準臺相對于顯微鏡可作±20mm掃描運動。

“接觸、分離"20μm情況下，片相對于版的“漂移量"，可調(diào)到≤±0.5μm。

8. 設(shè)備所需能源：

主機電源： 220V±10%   50HZ

潔凈空氣≥0.4MPα。

真空：-0.07～－0.08MPα。

9. 尺寸和重量：

尺寸：機體720 mm（長）×720 mm（寬）×882mm（高）。

重量：≤100Kg。

機體放在專用工作臺上。

工作臺:1100 mm（長）×750 mm（寬）×645 mm（高）。

高度可調(diào)范圍0～30mm。

重量50Kg（工作臺后側(cè)裝有電氣部分）。

總重量≤200Kg

10. C-25X200型光刻機的組成

 主機

主機（含機體和工作臺）

對準用單筒顯微鏡

蠅眼曝光頭

 附件

主機附件

3"□型掩版夾盤

4"□型掩版夾盤（出廠時安裝到機器上）

用于2"基片的真空夾持承片臺。

用于3"基片的真空夾持承片臺（出廠時安裝到機器上）

（若需特殊的基片承片臺，訂貨時用戶提出）

顯微鏡組成

單筒顯微鏡二個

兩個CCD

視頻連接線。

計算機和22"液晶監(jiān)視器。